2012年5月8日，推進(jìn)利用TSV(硅通孔)的三維層疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件行業(yè)巨頭美國微軟已加盟該協(xié)會(huì )。
HMC是采用三維構造，在邏輯芯片上沿垂直方向疊加多個(gè)DRAM芯片，然后通過(guò)TSV連接布線(xiàn)的技術(shù)。HMC的最大特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大的提升。提升的原因有二，一是芯片間的布線(xiàn)距離能夠從半導體封裝平攤在主板上的傳統方法的“cm”單位大幅縮小到數十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成1000～數萬(wàn)個(gè)TSV，實(shí)現芯片間的多點(diǎn)連接。
